Рассмотрим простейший усилительный каскад на полевом транзисторе, включенном по схеме ОИ, принципиальная схема которого приведена на рис. 5.16. В качестве активного элемента каскад содержит n-канальный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. К входу каскада подключается источник входного сигнала (генератор с эдс… Продолжить чтение
Упрощенная структура МЕП-транзистора или транзистора с металлополупроводниковым затвором (затвором Шоттки) приведена на рис. 5.15. Транзистор создается на подложке из арсенида галлия (GaAs). Тонкий токопроводящий канал здесь создается технологическим путем. Затвор из сплава титана и вольфрама наносится непосредственно на поверхность канала.… Продолжить чтение
В постоянных запоминающих устройствах (ПЗУ) используется специальные типы МДП-структур, способные в течение длительного времени хранить двоичную информацию. Наибольшее распространение получили структуры с плавающим затвором, в которых между основным (управляющим) затвором и подложкой расположен дополнительный затвором и подложкой расположен дополнительный затвор,… Продолжить чтение
Полевой транзистор с p-n-переходом имеет два недостатка: через вывод затвора протекает, хотя и не большой, но отличный от нуля ток закрытого p-n-перехода. Во избежание открывания p-n-перехода напряжение на затворе может быть только одной определенной полярности – отрицательной для n-канала и… Продолжить чтение
Как отмечалась ранее, для малого сигнала полевого транзистора представляется линейным трехполюсником. Эквивалентная схема его показана на рис. 5.5. На ней изображены три электрода транзистора – сток, исток и затвор. Тот факт, что ток в цепи сток – исток зависит от… Продолжить чтение